Integrated Electronics on Aluminum Nitride: Materials and Devices

Autor: 
Jazyk: 
english
Vazba: 
Pevná vazba
Počet stran: 
255
Chapter 1. Introduction.- Chapter 2. Polarization-induced 2D Hole Gases in undoped (In)GaN/AlN Heterostructures.- Chapter 3. GHz-speed GaN/AlN p-channel Heterojunction Field Effect Transistors.- Chapt ...Celý popis
5 931,00 Kč

Podrobné informace

Více informací
ISBN9783031171987
AutorChaudhuri Reet
VydavatelSpringer Nature
Jazykenglish
VazbaPevná vazba
Rok vydání2022
Počet stran255

Popis knihy

Chapter 1. Introduction.- Chapter 2. Polarization-induced 2D Hole Gases in undoped (In)GaN/AlN Heterostructures.- Chapter 3. GHz-speed GaN/AlN p-channel Heterojunction Field Effect Transistors.- Chapter 4. Polarization-induced 2D Electron and Holes in undoped AlN/GaN/AlN Heterostructures.- Chapter 5. AlN/GaN/AlN High Electron Mobility Transistors.- Chapter 6. Integrated RF Electronics on the AlN Platform.

Proč nakupovat na Enbooku?

  1. velký výběr

    Velký výběr

    Nabízíme miliony knih v angličtině. Od beletrie až po ty nejodborněji odborné.

  2. poštovné zdarma

    Poštovné zdarma

    Poštovné už od 54 Kč a při objednávce nad 1499 Kč doprava na pobočku Zásilkovny zdarma.

  3. skvělé ceny

    Skvělé ceny

    Ceny knih se snažíme držet při zemi a vždy pod cenou doporučovanou vydavatelem, aby si je mohl koupit opravdu každý.

  4. online podpora

    Online podpora

    Můžete využít online chatu, emailu nebo nám zatelefonovat.

  5. osobní přístup

    Osobní přístup

    Nejdůležitější je pro nás Vaše spokojenost. Prodáváme knihy, protože je milujeme. Nejsme žádní nadnárodní giganti, ale poctivá česká firma.