Nano-CMOS Gate Dielectric Engineering

Name: Nano-CMOS Gate Dielectric Engineering
Brand: Taylor & Francis Inc
SKU: 9781439849590
Price: 3875 CZK
Availability: InStock

Autor: Hei Wong

Jazyk:

Vazba: Pevná

Vydavatel: Taylor & Francis Inc

Dostupnost: Skladem u dodavatele

Odesíláme za 14-21 dnů

3 875 Kč

Covering the physics, materials, devices, and fabrication processes for high-k gate dielectric mater...

Informace o knize

Autor

Hei Wong

Jazyk

Angličtina

Vazba

Kniha - Pevná

Vydáno

2011

Stránek

248

EAN

9781439849590

ISBN

9781439849590

Enbook ID

06708163

Vydavatel

Taylor & Francis Inc

Hmotnost

500

Rozměry

163 x 242 x 20

Kompletní popis

Covering the physics, materials, devices, and fabrication processes for high-k gate dielectric materials, this text systematically describes how the fundamental electronic structures and other material properties of the transition and rare earth metals affect the electrical properties of the dielectric films, the dielectric/silicon and the dielectric/metal gate interfaces, and the resulting device properties. Specific topics include the problems and solutions encountered with high-k material thermal stability, defect density, and poor initial interface with silicon substrate. The text also addresses the essence of thin film deposition, etching, and process integration of high-k materials in an actual CMOS process.

Mohlo by vás zajímat

Zákaznicí kteří koupili tuto knihu koupili také

Nejčastěji hledané

Categories

Authors

Publishers

Produkty

Produkty

Nejčastěji hledané

Categories

Authors

Publishers

Produkty

Produkty

Nano-CMOS Gate Dielectric Engineering

Informace o knize

Kompletní popis

Mohlo by vás zajímat

Zákaznicí kteří koupili tuto knihu koupili také