Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs

Name: Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Brand: Springer Verlag GmbH
SKU: 9783709103814
Price: 3426 CZK
Availability: InStock

Autor: Viktor Sverdlov

Jazyk:

Vazba: Pevná

Vydavatel: Springer Verlag GmbH

Dostupnost: Skladem u dodavatele

Odesíláme za 10-13 dnů

3 426 Kč

Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an import...

Informace o knize

Autor

Viktor Sverdlov

Jazyk

Angličtina

Vazba

Kniha - Pevná

Vydáno

2010

Stránek

252

EAN

9783709103814

ISBN

3709103819

Enbook ID

01705627

Vydavatel

Springer Verlag GmbH

Hmotnost

631

Rozměry

173 x 246 x 19

Kompletní popis

Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.

Mohlo by vás zajímat

Zákaznicí kteří koupili tuto knihu koupili také

Nejčastěji hledané

Categories

Authors

Publishers

Produkty

Produkty

Nejčastěji hledané

Categories

Authors

Publishers

Produkty

Produkty

Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs

Informace o knize

Kompletní popis

Mohlo by vás zajímat

Zákaznicí kteří koupili tuto knihu koupili také