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La magnétorésistance géante et le couplage d'échange dans des empilements de couches magnétiques / non-magnétiques, connaissent un intéręt particulier grâce aux nombreuses applications potentielles dans le domaine de la microélectronique (capteurs magnétorésistifs, mémoires non-volatiles, etc). La conduction des électrons dans les couches non-magnétiques est dépendante du spin, c'est ŕ dire de l'orientation relative des aimantations des électrodes magnétiques. Le plus simple systčme présentant de la magnétorésistance est le systčme « spin-valve ». Il s'agit de deux couches magnétiques (dure et douce), séparées par une couche non-magnétique de découplage. Dans notre cas la couche magnétique dure est constituée d'un systčme antiferromagnétique artificiel ŕ base d'iridium qui présente l'avantage d'obtenir une rigidité magnétique importante et ajustable. L'originalité de ce travail provient essentiellement du choix des matériaux utilisés et présente la possibilité d'intégration de ce systčme dans un capteur magnétorésistif de type spin valve. Pour ce faire, ce travail analyse les propriétés magnétiques et de transport de ces systčmes, en corrélation avec leurs propriétés structurales.
